中文说明：这个演示说明了仿真用来生成一个直流电机，切碎的电压，控制速度开环，在两个方向中的 H 桥。 描述： 双极晶体管） 用于功率开关的应用程序时运作，作为 IGBT。它进行 （BJT 工作在饱和区） 的时候 Vf 开发收集器和发射器 （在范围内 1 V) 之间的正向电压。因此 IGBT 块可用于模型 BJT 设备。
English Description：
This demonstration illustrates simulation of a H bridge used to generated a chopped voltage and control speed of a DC motor, in open loop, in both directions. Description: The Bipolar Junction Transistor (BJT) when used for power switching applications operates as an IGBT. When it is conducting (BJT operating in the saturated region) a forward voltage Vf is developed between collector and emitter (in the range of 1 V). Therefore the IGBT block can be used to model the BJT device.